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磁控溅射设备

磁控溅射设备

真空极限:溅射室:8.0×10-5Pa(空载,经烘烤除气后);
抽速:溅射室(空载)从大气抽至4.0×10-4Pa≤30min;
基片台尺寸:Φ120mm范围内可装卡各种规格基片;
溅射室腔体加热:可实现溅射室内环境加热,加热温度室温~300℃;

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真空极限:溅射室:8.0×10-5Pa(空载,经烘烤除气后);
抽速:溅射室(空载)从大气抽至4.0×10-4Pa≤30min;
基片台尺寸:Φ120mm范围内可装卡各种规格基片;
溅射室腔体加热:可实现溅射室内环境加热,加热温度室温~300℃;

特点/用途:

磁控溅射设备主要由进样室、溅射室、永磁磁控溅射靶、脉冲偏压电源、样品台、样品台加热、真空系统、真空测量系统、气路系统、PLC+工控机+液晶屏全自动控制系统等组成。该设备操控方便;结构紧凑,占地面积小。

磁控溅射设备用于纳米量级复合膜、多层膜等制备;适用于三靶单独溅射、依次溅射、共同溅射;可溅射磁性材料;适用于制备金属膜、合金膜、半导体膜、陶瓷膜等。

基于该设备,离子源清洗装置在Load-lock室,样品先经过清洗,在由送样系统传递到真空溅射腔室,进行下一步的溅射镀膜。


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