磁控溅射镀膜设备原理和作用：

原理是稀薄气体在异常辉光放电发作的等离子体在电场的作用下，对阴极靶材表面中止轰击，把靶材表面的分子、原子、离子及电子等溅射出来，被溅射出来的粒子带有一定的动能，沿一定的方向射向基体表面，在基体表面构成镀层。

磁控溅射镀膜设备的优点是装置复杂，但是直流二极溅射堆积速率低；爲了坚持自持放电，不能在低气压（＜0.1Pa）下中止；不能溅射绝缘材料等缺陷限制了其运用。在直流二极溅射装置中添加一个热阴极和辅佐阳极，就构成直流三极溅射。添加的热阴极和辅佐阳极发作的热电子增强了溅射气体原子的电离，这样使溅射即使在低气压下也能中止;另外，还可降低溅射电压，使溅射在低气压，低电压外形下中止;同时放电电流也增大，并可独立控制，不受电压影响。在热阴极的前面添加一个电极（栅网状），构成四极溅射装置，可使放电趋于坚决。但是这些装置难以获得浓度较高的等离子体区，堆积速度较低，因而未获得普遍的工业运用。磁控溅射是由二极溅射基础上展开而来，在靶材表面树立与电场正交磁场，处置了二极溅射堆积速率低，等离子体离化率初等效果，成爲目前镀膜工业主要方法之一。

磁控溅射与其它镀膜技术相比具有如下特点：可制备成靶的材料广，几乎一切金属，合金和陶瓷材料都可以制成靶材；在适当条件下多元靶材共溅射方式，可堆积配比精确恒定的合金；在溅射的放电气氛中参与氧、氮或其它活性气体，可堆积构成靶材物质与气体分子的化合物薄膜；经过精确地控制溅射镀膜进程，容易获得均匀的高精度的膜厚；经过离子溅射靶材料物质由固态直接转变爲等离子态，溅射靶的安装不受限制，合适于大容积镀膜室多靶布置设计；溅射镀膜速度快，膜层致密，附着性好等特点，很合适于大批量，高效率工业消费。近年来磁控溅射技术展开很快，具有代表性的方法有射频溅射、反响磁控溅射、非平衡磁控溅射、脉冲磁控溅射、高速溅射等。