磁控溅射镀膜设备的基本原理是：异常光放电过程中产生的等离子体轰击阴极靶面，溅射靶面分子、原子、离子、电子等物质，并有一定的动能溅射，基体表面以一定方向辐射进入基体表面。

磁控溅射镀膜设备：溅射涂层较早出现在简单的直流二极溅射中，其优点是设备简单，但直流二极溅射沉积率低；为了保持自持放电，不能在低压下进行（没有。1Pa）；无溅射绝缘材料等缺陷限制其应用。添加热阴极和辅助阳极直流二极溅射器构成直流三极溅射。加热阴极和辅助阳极产生的热电子加强了溅射气体原子的离子化，使溅射在低压下进行；降低溅射电压，在低压、低压下进行；放电电流也增加，不受电压影响，可单独控制。在热阴极前增加一个电极（网格），形成一个四极溅射装置，使放电趋于稳定。但该设备难以获得高浓度等离子体区域，积累率低，因此在工业中没有得到广泛的应用。

随着二极性溅射技术的发展，解决了沉积速度低、等离子体离化率低解决了沉积速度低、等离子体离化率低的问题，已成为镀膜行业的主要方法之一。与其他涂层技术相比，磁控溅射镀膜设备具有以下特点：可制成广泛的靶材，几乎所有金属，合金和陶瓷材料；在适当的条件下，多靶共溅射模式，可沉积精确恒定的合金，在溅射环境中添加氧、氮或其他活性气体；一种可沉积成靶材料和气态分子的复合膜，通过精确控制溅射涂层过程，易于获得均匀、高精度的膜厚度，通过离子溅射靶材料直接转化为等离子体，溅射靶安装无限，适用于大容量涂层室内多靶设计，溅射涂层速度快，膜层致密，附着力好，非常适合大规模生产，高效工业生产。近年来，溅射法发展非常快，典型的有RF溅射、反应磁控溅射、脉冲磁控溅射、脉冲磁控溅射等。