一、整机简述：

特点/用途

该设备主机与控制一体化设计，PLC触摸屏控制，操控方便，结构紧凑，占地小；设备广泛应用于高校、科研院所的教学、科研实验以及生产型企业前期探索性实验及开发新产品等，深受广大用户好评；

JCP350高真空多靶磁控溅射镀膜机，可单靶独立、多靶轮流和组合向心共溅射；各溅射靶及基片台均配独立挡板，保证镀膜的工艺性（预溅射、多层膜、掺杂、防止交叉污染和干扰等）；设备样品台可加负偏压对样品进行等离子清洗活化、辅助溅射功能。

该设备主要用来开发纳米级单层及多层的金属导电膜（可选配强磁靶镀磁性材料薄膜）、半导体膜以及陶瓷绝缘薄膜等。

二、设备主要技术参数：

1.真空腔室
φ350×H350mm，304优质不锈钢真空腔室；
2.真空系统
复合分子泵+直联旋片泵+高真空气/电动阀门高真空系统，数显复合真空计；
3.真空极限
极限真空优于6.6×10-5Pa（设备空载抽真空24小时）；
4.漏率
设备升压率≤0.8Pa/h；

设备保压：停泵12小时候后，真空≤10Pa；

5.抽速

（空载）从大气抽至5.0×10-3Pa≤15min；

6.基片台尺寸
Φ120mm范围内可装卡各种规格基片；
7.基片台旋转与加热
基片旋转：0～20转/分钟；

加热:室温～500±1℃，可控可调，日本岛电PID智能温控闭环控温；

8.溅射靶

2英寸磁控靶，2只；两靶共焦溅射，另预留1只靶位；

兼容直流/射频电源溅射；

标配直流/射频溅射各1台；磁控靶配有气动挡板结构；

9.工作方式
各靶可独立/顺次/共同工作，采用磁控靶从下向上溅射镀膜；
10.膜厚不均匀性
≤±5%（基片台Φ75mm范围内）；
11.控制方式
PLC+触摸屏人机界面半自动控制系统；
12.报警及保护
对泵、电极等缺水、过流过压、断路等异常情况进行报警并执行相应保护措施；完善的逻辑程序互锁保护系统；
13.占地
(主机）L1600mm×W800mm×H1920mm。