一、整机简述：

特点/用途

JCP500为高真空多靶磁控溅射镀膜系统，系统主要由溅射室、磁控溅射靶、直流脉冲溅射电源、自动匹配射频电源、脉冲偏压电源、样品台、加热、真空系统、气路系统、PLC+触摸屏半自动控制系统等组成；该设备主机与控制一体化设计，操控方便；结构紧凑，占地面积小。

该系列设备广泛应用于高校、科研院所的教学、科研实验以及生产型企业前期探索性实验及开发新产品等，深受广大用户好评。

其主要用途有：

1.适用于开发纳米级单层、多层及复合膜层等；

2.适用于制备金属膜、合金膜、半导体膜、陶瓷膜、介质膜等，例：银、铝、铜、镍、

铬、镍铬合金、氧化钛、氮化钛、氮化铬、ITO、二氧化硅等；

3.适用于三靶单独溅射、依次溅射、共同溅射。

二、设备主要技术参数：

1.真空腔室

Ф500×H420mm，304优质不锈钢，前开门结构；

2.真空系统

复合分子泵+直联旋片泵+高真空阀门组合的高真空系统，数显复合真空计；

3.真空极限

6.0×10-5Pa（设备空载抽真空24小时）；

4.漏率

设备升压率≤0.8Pa/h；

设备保压：停泵12小时候后，真空≤10Pa；

5.抽速

(空载）从大气抽至5.0×10-3Pa≤15min；

6.基片台尺寸

Φ150mm范围内可装卡各种规格基片；

7.基片台旋转与加热

基片旋转：0～20转/分钟；

加热:室温～500±1℃，可控可调，日本岛电PID智能温控闭环控温； 

8.溅射靶

配置3套3英寸永磁共焦磁控溅射靶（溅射靶角度、高度可调）；

磁控靶RF、MF、DC兼容，可以溅射磁性材料，

磁控靶配有气动挡板结构；

9.工作方式

各靶可独立/顺次/共同工作，采用磁控靶从下向上溅射镀膜；

10.脉冲偏压电源

-1000V，1套；

11.膜厚不均匀性

≤±5%（基片台Φ100mm范围内）；

12.控制方式

PLC+触摸屏人机界面半自动控制系统；

13.报警及保护

对泵、电极等缺水、过流过压、断路等异常情况进行报警并执行相应保护措施；完善的逻辑程序互锁保护系统；

14.占地

(主机）L1900×W800×H1900(mm)。