1.特点/用途 | 系统主要由进样室、溅射室、永磁磁控溅射靶、脉冲偏压电源、样品台、样品台加热、真空系统、真空测量系统、气路系统、PLC+工控机+液晶屏全自动控制系统等组成。该设备操控方便；结构紧凑，占地面积小。 本系统适用于纳米量级复合膜、多层膜等制备；适用于三靶单独溅射、依次溅射、共同溅射；可溅射磁性材料；适用于制备金属膜、合金膜、半导体膜、陶瓷膜等。 基于该设备，离子源清洗装置在Load-lock室，样品先经过清洗，在由送样系统传递到真空溅射腔室，进行下一步的溅射镀膜。 |
二.设备主要技术参数： |
1.真空溅射腔室 | Ф500×H500mm（以最终设计为准），304优质不锈钢制造，双层水冷结构； |
2.Load-lock室 | 配有Load-Lock系统，样片室中的气缸驱动式机械手，完成自动/手动送样/取样过程，可负载2组样品。 |
3.真空系统 | 溅射室：涡轮分子泵+旋片式机械泵+高真空阀门组合的高真空系统，数显复合真空计； Load-lock室：涡轮分子泵+旋片式机械泵+高真空阀门组合的高真空系统，数显复合真空计； |
4.真空极限 | 溅射室：8.0×10-5Pa（空载，经烘烤除气后）； Load-lock室：8.0×10-5Pa（空载，经烘烤除气后）； |
5.漏率 | ≤0.8Pa/h； |
6.抽速 | 溅射室：（空载）从大气抽至4.0×10-4Pa≤30min； Load-lock室：从大气抽至1.0×10-3Pa≤20min； |
7.基片台尺寸 | Φ120mm范围内可装卡各种规格基片； |
8.基片台旋转、加热 | 基片旋转：0～30转/分钟； 加热:室温～500±1℃，可控可调，日本岛电PID智能温控闭环控温； |
9.溅射靶 | 配置3套3英寸永磁共焦磁控溅射靶（溅射靶角度、高度可调）， 磁控靶RF、MF、DC兼容，可以溅射铁磁性材料， 磁控靶配有气动挡板结构； |
10.工作方式 | 各靶可独立/顺次/共同工作，采用磁控靶从上向下溅射镀膜； |
11.清洗离子源 | Load-lock室：配备有一套离子源清洗功能，可以对样品进行预清洗；电源：考夫曼离子源； |
12.脉冲偏压 | -1000V，1套 |
13.膜厚不均匀性 | ≤±5%（基片台Φ100mm范围内）； |
14.溅射室腔体加热 | 可实现溅射室内环境加热，加热温度室温～300℃； |
15.控制方式 | PLC+工控机+液晶屏全自动控制方式；完善的逻辑程序互锁保护系统； |
16.报警及保护 | 对泵、电极等缺水、过流过压、断路等异常情况进行报警并执行相应保护措施；完善的逻辑程序互锁保护系统。 |
17.占地面积 | (主机）L3000×W1000 (㎜) |
