一、整机简述

特点/用途

TEMD500电子束多功能蒸发镀膜机系统具有真空度高、抽速快、基片装卸方便的特点。配备E型电子束蒸发源和2组电阻蒸发源、可选配在线膜厚检测系统，以及选配离子源清洗及辅助沉积装置。具有成膜均匀、放气量小和温度均匀的优点。除了常规低熔点金属的蒸镀以外，TEMD500还可以蒸镀难熔金属和非金属氧化物及合金等材料，可应用于制备光电薄膜，半导体器件薄膜、铁电薄膜等。

该系列设备广泛应用于高校、科研院所的教学、科研实验以及生产型企业前期探索性实验及开发新产品等，深受广大用户好评。

二、设备主要技术参数

1.真空腔室

腔室内尺寸Φ500×600mm，不锈钢腔室配水线；

2.真空系统

复合分子泵+机械泵系统，气动真空阀门，“两低一高”数显复合真空计；

3.极限真空

空载优于6.0×10-5Pa（设备空载抽真空24小时）；

4.抽速

空载从大气抽至6.0×10-4Pa≤30min；

5.漏率

设备升压率≤0.8Pa/h；

设备保压：停泵12小时候后，真空≤10Pa；

6.电子枪蒸发源

功率：8000W；6穴坩埚；

蒸发源与基片距离≥400mm；

7.电阻蒸发源

2组金属蒸发源；1台3000W蒸发电源供2组蒸发源切换使用；

8.离子源（选配）

150px考夫曼离子源1台；预留位置，用户选配；

9.基片台尺寸

平板型Φ200mm（可装载工件不小于Φ150mm）；预留升降接口；

10.基片旋转

 旋转速度：0～20转/分钟，可调可控，可加偏压；

11.基片台加热

300℃±1℃；

12. 控制方式

PLC+触摸屏人机界面半自动控制系统；

13.报警及保护

对泵、电极等缺水、过流过压、断路等异常情况进行报警并执行相应保护措施；完善的逻辑程序互锁保护系统；

14.占地面积

长×宽: 2500×1600mm