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高真空电子束蒸发镀膜机 TEMD600

高真空电子束蒸发镀膜机 TEMD600

真空腔室:腔室内尺寸Φ600×750mm,不锈钢腔室通水冷却;
极限真空:空载优于5.0×10-5Pa(设备空载抽真空24小时);
抽速:空载从大气抽至5.0×10-4Pa≤40min;
漏率:设备升压率≤0.8Pa/h;

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真空腔室:腔室内尺寸Φ600×750mm,不锈钢腔室通水冷却;
极限真空:空载优于5.0×10-5Pa(设备空载抽真空24小时);
抽速:空载从大气抽至5.0×10-4Pa≤40min;
漏率:设备升压率≤0.8Pa/h;


一、整机简述

特点/用途

TEMD600电子束多功能蒸发镀膜机系统具有真空度高、抽速快、基片装卸方便的特点。配备E型电子束蒸发源和2组电阻蒸发源、可选配在线膜厚检测系统及离子源清洗及辅助沉积装置。具有成膜均匀、放气量小和温度均匀的优点。除了常规低熔点金属的蒸镀以外,TEMD600还可以蒸镀难熔金属和非金属材料等可应用于制备光学薄膜、导电薄膜,半导体薄膜、铁电薄膜等。

该系列设备广泛应用于高校、科研院所的教学、科研实验以及生产型企业前期探索性实验及开发新产品等,深受广大用户好评。

二、设备主要技术参数

1.真空腔室

腔室内尺寸Φ600×750mm,不锈钢腔室通水冷却;

2.真空系统

复合分子泵+机械泵系统,气动真空阀门,“两低一高”数显复合真空计;

3.极限真空

空载优于5.0×10-5Pa(设备空载抽真空24小时);

4.抽速

空载从大气抽至5.0×10-4Pa≤40min;

5.漏率

设备升压率≤0.8Pa/h;

设备保压:停泵12小时候后,真空≤10Pa;

6.电子枪蒸发源

功率:8000W;6穴坩埚;

蒸发源与基片距离≥500mm;

7.电阻蒸发源

2组金属蒸发源;1台3000W蒸发电源供2组蒸发源切换使用;

8.离子源(选配)

Φ200px考夫曼离子源(含电源)1台;预留位置,用户选配;

9.基片台尺寸

Φ350mm球罩型基片台;

10.基片旋转

旋转速度:0~20转/分钟,可调可控,可加偏压;

11.基片台加热

300℃±1℃;

12.控制方式

PLC+触摸屏人机界面半自动控制系统; 

13.报警及保护

对泵、电极等缺水、过流过压、断路等异常情况进行报警并执行相应保护措施;完善的逻辑程序互锁保护系统;

14.占地面积

长×宽: 2500×1600mm。

   


 


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