设备主要用途：
该系列设备应用等离子体化学气相沉积技术，主要用来制作SiO2、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介电、半导体及金属膜。等离子增强化学气相沉积可以较大幅度地降低沉积反应的温度，使CVD在热稳定性差的基底表面上进行沉积成为可能。反应温度的降低还可以有效抑制半导体器件制作过程中的层间扩散。沉积温度的降低，还可以降低热应力失配。
PECVD-350设备的主要技术参数:
真空生长腔室 | Ф350×H300mm，1Cr18Ni9Ti优质不锈钢，箱式上开门结构； |
真空系统 | 复合分子泵+直联旋片泵,气动真空阀门，“两低一高”数显复合真空计； 配薄膜规； |
极限真空 | ≤6.67x10-5 Pa (经烘烤除气后)； 系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7 Pa.l/S；停泵关机12小时后真空度：≤5 Pa； 工作真空度：1～1000Pa； |
平板式阴阳极 | 生长台：Φ200mm；基片与阴极（匀气盘）在20～80mm之间手动升降调节； 膜厚不均匀性：≤±5%； |
衬底加热： | tm≤400±5℃，日本岛电PID智能温控仪调节控温; |
射频电源： | 频率 13.56MHz，功率500W；一台 |
气路系统 | 4路进气及不锈钢管路、截止阀等 |
控制方式 | 手动逻辑控制； |
报警及保护 | 对泵、阴极等缺水、过流过压、断路等异常情况进行报警并执行相应保护措施； |
