一、产品特点：
该设备是利用高温化学气相沉积技术，石英管生长室清洁无污染；多路气体控制合理；PID加热温度高控温。高真空环境，兼具真空退火炉功能。
二、主要用途：
可制备用于光电子、半导体、石墨烯、微波器件等高纯薄膜。
三、适用范围：
适合于各单位实验室、高等院校实验室、教学等的项目科研、产品中试之用。
四、技术参数：
镀膜方式 | 化学气相沉积（CVD) |
真空腔室结构 | 高纯石英管/耐温耐腐蚀不锈钢 |
真空腔室尺寸 | Φ100mm×L1000mm、Φ200mm×L1600mm |
基片台尺寸 | 2英寸 / 定制生长车（分层） |
衬底温度 | 室温～1050℃，可调可控 |
电源 | 多路气体流量控制 |
控制方式 | PLC控制 |
占地面积 | 主机L1620×W1060×H1900mm |
总功率 | ≥10KW 、30kw |
