一、电弧离子镀膜机中直流偏压不足，电弧离子离化率高达60%~90%具有沉积速度快、膜基结合力强、电镀性能好、反应沉积方便、氮化钛等化合物涂层优点TiN硬膜不可替代的涂层工艺，传统的电弧离子镀膜机始终以直流偏压为基础。

1、沉积温度(400~500℃相对较高),在低回火温度和低熔点的基材上，涂层受到限制。

2、膜内应力较大，厚膜沉积困难。

3、大型金属熔滴从阴极电弧源喷射，使膜组织粗化。

4、直流偏置电源电弧速度慢，防止电弧功能差，容易烧伤工作面。

5、电弧离子电镀中脉冲偏置压力的出现，为进一步降低沉积温度，克服其他不足，传统的电弧离子镀直流偏置压力改为脉冲偏置压力，产生脉冲偏置电弧离子镀，在理想状态下，偏压与时间的关系是典型的。

电弧离子镀膜机中脉冲电源主电路的所有开关设备均已使用IGBT。

目前，我国脉冲偏压电源的设计和制造水平基本能满足电弧离子电镀的科学研究和生产需要。典型电源参数为：5频~80kHz，脉冲偏压幅值为0~-1500V可叠加直流偏压0~-300V，占空比5%~85%，功率为5~30kW。此外，应用了非对称双极脉冲偏压电源。

使用脉冲偏压电源时，电压中断间隙，供电在脉冲周期中断，通电时间占脉冲周期的比例称为占空比，用d表示，一般用于仪器"%"表示。在脉冲周期中，利用空间比调整间歇供电时间。

通常在用800~1000V高偏压进行"主弧轰击"占空比调整到20%左右。

沉积氮化钛等化合物涂层时，将空比调整到80%左右。